[发明专利]半导体装置及半导体测定装置无效
| 申请号： | 200710110188.5 | 申请日： | 2007-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN101097241A | 公开（公告）日： | 2008-01-02 |
| 发明（设计）人： | 岸冈俊树;志和屋阳一 | 申请（专利权）人： | 株式会社理光 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 杨梧;王景刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及在半导体装置外部端子的电流电压测定时不需要开尔文探测器及电压测定装置的半导体装置及半导体测定装置。半导体装置210设有：用于连接负载的端子A，用于向负载提供电流的电流驱动用晶体管M1，比较端子A和基准电压Vref的比较器211，与比较器211的输出端连接的端子B。当端子A达到基准电压时，半导体装置210使从端子B输出的信号电平变化。半导体测定装置220读取端子B输出的信号电平变化时刻的端子A电流值，因此，即使不测定端子A电压，也能够测定端子A电压和电流值。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 测定 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，具有用于连接负载的第一外部端子，内置用于向上述负载提供电流的电流驱动用晶体管，其特征在于，包括：比较器，用于比较上述第一外部端子电压和基准电压；第二外部端子，与上述比较器的输出端连接。
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