[发明专利]无定型碳层的低温沉积方法无效
申请号: | 200710110775.4 | 申请日: | 2007-06-13 |
公开(公告)号: | CN101122011A | 公开(公告)日: | 2008-02-13 |
发明(设计)人: | 唐桑叶;栾辛乔;克旺达克·道格拉斯·李;金博宏 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | C23C16/26 | 分类号: | C23C16/26;C23C16/52;C23C16/455;H01L21/033 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 赵飞 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明提供了低温沉积具有改善的阶梯覆盖的无定型碳膜的方法。在一种实施方式中,该方法包括:在处理室中提供衬底;使包含至少烃化合物和惰性气体的气体混合物流入所述处理室,其中所述烃化合物具有大于5个碳原子;将所述衬底保持在低于450℃的温度下;将无定型碳膜沉积在所述衬底上。 | ||
搜索关键词: | 定型 低温 沉积 方法 | ||
【主权项】:
1.一种沉积无定型碳膜的方法,包括:在处理室中提供衬底;使包含至少烃化合物和惰性气体的气体混合物流入所述处理室,其中所述烃化合物具有大于5个碳原子;将所述衬底保持在低于450℃的温度下;以及将无定型碳膜沉积在所述衬底上。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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