[发明专利]高通量薄膜表征方法及其装置无效
申请号: | 200710111727.7 | 申请日: | 2007-06-01 |
公开(公告)号: | CN101126702A | 公开(公告)日: | 2008-02-20 |
发明(设计)人: | 王尤崎;王卓 | 申请(专利权)人: | 亚申科技研发中心(上海)有限公司;美国亚申公司 |
主分类号: | G01N15/08 | 分类号: | G01N15/08;B01D71/02;B01D53/22 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 201203上海市浦东新区张*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明揭示了一种高通量薄膜表征方法及其装置,其包括有以下步骤:将包括两个或两个以上数量样本的待测薄膜置放于一一面开口的第一存储装置的开口上,其中薄膜与第一存储装置形成一个封闭的第一腔,其中薄膜的第一侧面对第一腔;往封闭的第一腔内通入一种或多种预定气体;将一探头置于待测薄膜的第二侧的上方并接近待测薄膜处进行其样本上方的气态物质采集,采集到的气态物质被输送到至少一个检测装置内进行分析。 | ||
搜索关键词: | 通量 薄膜 表征 方法 及其 装置 | ||
【主权项】:
1.一种高通量薄膜表征方法,其特征在于:其包括有以下步骤:第一步,将包括两个或两个以上数量样本的待测薄膜置放于一一面开口的第一存储装置的开口上,其中所述薄膜与所述第一存储装置形成一个封闭的第一腔,其中薄膜的第一侧面对所述第一腔;第二步,向所述封闭的第一腔内通入一种或多种预定气体;第三步,将一探头置于所述待测薄膜的相对第二侧的上方并接近所述待测薄膜处进行所述两个或两个以上样本上方的气态物质采集;第四步,分析采集到的气态物质以确定各检测样本的性能。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于亚申科技研发中心(上海)有限公司;美国亚申公司,未经亚申科技研发中心(上海)有限公司;美国亚申公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200710111727.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。