[发明专利]制作高张力薄膜的方法及机台有效
| 申请号： | 200710111873.X | 申请日： | 2007-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN101330022A | 公开（公告）日： | 2008-12-24 |
| 发明（设计）人： | 廖秀莲;陈能国;蔡腾群;陈意维 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/31;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种制作多晶硅应力层的方法、制作接触洞蚀刻停止层的方法、以及制作高张力薄膜的方法。本发明还公开了一种紫外线暨快速热处理机台。一种制作高张力薄膜的方法，该方法包括有提供表面形成有至少一晶体管的基底、在该基底表面形成多晶硅应力层、以及进行紫外线暨快速热处理工艺(ultra violate rapid thermal process，UVRTP)以硬化该多晶硅应力层，并调整该多晶硅应力层的应力作为高张力薄膜。因同时结合光子的能量与热能来调整高张力薄膜的伸张应力状态，故可在相对较短的工艺时间内或较低的温度下形成具高伸张应力的薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 制作 张力 薄膜 方法 机台 | ||
【主权项】：
1.一种制作多晶硅应力层的方法，包括有：提供基底，且该基底表面形成有至少一晶体管；于该基底表面形成多晶硅应力层；以及进行紫外线暨快速热处理工艺以硬化该多晶硅应力层，并调整该多晶硅应力层的伸张应力。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
