[发明专利]纵向型半导体器件及其制造方法无效
申请号: | 200710111896.0 | 申请日: | 2007-06-20 |
公开(公告)号: | CN101106160A | 公开(公告)日: | 2008-01-16 |
发明(设计)人: | 沟口修二 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L29/78 | 分类号: | H01L29/78;H01L27/04;H01L21/336;H01L21/822 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 汪惠民 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明公开了一种纵向型半导体器件及其制造方法。通过形成栅电极(10)使得在沟槽(6)上部留下凹部,同时在栅电极(10)上形成绝缘膜(11)来凹部充填到中途,来将源极区域(15)与布线层的接触部分设定在沟槽(6)的壁面,同时将主体区域(13)和(16)与布线层的接触部分设定在沟槽(6)的壁面以及主体区域(16)的上表面。因此,在该纵向型半导体器件中,在不使源极区域和布线层的接触部分的面积减小的情况下,使主体区域和布线层的接触部分的面积增大。 | ||
搜索关键词: | 纵向 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种纵向型半导体器件,其特征在于:包括:第一导电型漏极区域,形成在衬底上,第二导电型第一主体区域,形成在所述漏极区域上侧,沟槽,贯通所述第一主体区域而形成,栅电极,隔着所述栅电极绝缘膜形成在所述沟槽内,且实现在所述沟槽的上部留下凹部这一状态,绝缘膜,形成在所述栅电极上,且实现所述凹部被充填到中途这一状态,第一导电型源极区域,形成在至少成为所述沟槽的壁部的所述第一主体区域的上部的一区域,且至少与所述栅电极的上部重叠,第二导电型第二主体区域,形成在所述第一主体区域的上部的其它区域,且沿着所述沟槽的延伸方向与所述源极区域相邻接,第二导电型第三主体区域,形成在所述源极区域和所述第二主体区域各自的上部,以及布线层,分别与所述源极区域、所述第二主体区域以及所述第三主体区域保持接触。
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