[发明专利]纵向型半导体器件及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200710111896.0 申请日: 2007-06-20
公开(公告)号: CN101106160A 公开(公告)日: 2008-01-16
发明(设计)人: 沟口修二 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: H01L29/78 分类号: H01L29/78;H01L27/04;H01L21/336;H01L21/822
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 汪惠民
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种纵向型半导体器件及其制造方法。通过形成栅电极(10)使得在沟槽(6)上部留下凹部,同时在栅电极(10)上形成绝缘膜(11)来凹部充填到中途,来将源极区域(15)与布线层的接触部分设定在沟槽(6)的壁面,同时将主体区域(13)和(16)与布线层的接触部分设定在沟槽(6)的壁面以及主体区域(16)的上表面。因此,在该纵向型半导体器件中,在不使源极区域和布线层的接触部分的面积减小的情况下,使主体区域和布线层的接触部分的面积增大。
搜索关键词: 纵向 半导体器件 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种纵向型半导体器件,其特征在于:包括:第一导电型漏极区域,形成在衬底上,第二导电型第一主体区域,形成在所述漏极区域上侧,沟槽,贯通所述第一主体区域而形成,栅电极,隔着所述栅电极绝缘膜形成在所述沟槽内,且实现在所述沟槽的上部留下凹部这一状态,绝缘膜,形成在所述栅电极上,且实现所述凹部被充填到中途这一状态,第一导电型源极区域,形成在至少成为所述沟槽的壁部的所述第一主体区域的上部的一区域,且至少与所述栅电极的上部重叠,第二导电型第二主体区域,形成在所述第一主体区域的上部的其它区域,且沿着所述沟槽的延伸方向与所述源极区域相邻接,第二导电型第三主体区域,形成在所述源极区域和所述第二主体区域各自的上部,以及布线层,分别与所述源极区域、所述第二主体区域以及所述第三主体区域保持接触。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于松下电器产业株式会社,未经松下电器产业株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200710111896.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code