[发明专利]相变化存储器装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200710112002.X | 申请日： | 2007-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN101330091A | 公开（公告）日： | 2008-12-24 |
| 发明（设计）人： | 李乾铭 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院;力晶半导体股份有限公司;南亚科技股份有限公司;茂德科技股份有限公司;华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/24 | 分类号： | H01L27/24;H01L45/00;G11C11/56 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种相变化存储器装置及其制造方法。上述相变化存储器装置包括相变化存储单元阵列。各相变化存储单元包括设置于基板上的晶体管元件。直立式电极结构与晶体管元件电性相连，以及直立式存储层与该直立式电极结构上下直立形式堆迭并于一接触点接触，其中该接触点作为相变化存储单元作用的相变化位置。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储器 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种相变化存储器装置，包括：电流控制元件，设置于基板上；直立式电极结构，与该电流控制元件电性相连；以及第一直立式存储层，与该直立式电极结构上下直立形式堆迭并于第一接触点接触，其中该直立式电极结构与该第一直立式存储层交会的第一接触点作为第一相变化存储单元。
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H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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