[发明专利]集成电路封装体及其制作方法无效
申请号: | 200710112023.1 | 申请日: | 2007-06-21 |
公开(公告)号: | CN101330088A | 公开(公告)日: | 2008-12-24 |
发明(设计)人: | 李柏汉 | 申请(专利权)人: | 精材科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/144 | 分类号: | H01L27/144;H01L23/482;H01L21/82;H01L21/60 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 陈晨 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种集成电路封装体及其制作方法。上述集成电路封装体包含:透明基板,具有第一表面及第二表面;半导体层,形成于该透明基板的第二表面上;感光元件,形成于该半导体层上;金属插塞,形成于该透明基板的第二表面上,且电连接于该感光元件;以及焊料球体,形成于该透明基板的第二表面上,且电连接该金属插塞。在上述集成电路封装体中,由于可直接将感光元件设置于透明基板上的半导体层上,而不需要额外工艺,例如粘合及刻痕等步骤,因此,可缩短制作流程,进而降低制作成本。 | ||
搜索关键词: | 集成电路 封装 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
1.一种集成电路封装体,包含:透明基板,具有第一表面及第二表面;半导体层,形成于该透明基板的第二表面上;感光元件,形成于该半导体层上;金属插塞,形成于该透明基板的第二表面上,且电连接于该感光元件;以及焊料球体,形成于该透明基板的第二表面上,且电连接该金属插塞。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于精材科技股份有限公司,未经精材科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200710112023.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的