[发明专利]缺陷检查系统及缺陷检查方法

摘要

一种缺陷检查系统，具备：时序解析部(412)，该部根据电路设计数据，抽出信号传输动作的精度要求比其它的部位高的关键路径；关键路径抽出部(413)，该部对电路设计数据和布局设计数据加以对照，抽出包含用时序解析部(412)抽出的关键路径的图形数据；检查处置方案编制部(416)，该部根据包含用关键路径抽出部(413)抽出的关键路径的图形数据的坐标信息，决定检查部位；SEM式缺陷评价装置，该装置按照该检查处置方案编制部(416)编制的检查处置方案，取得晶片上的检查部位的图象。提供能够抽出伴随着电路动作上要求的加工精度的高低而发生的缺陷的缺陷检查系统及缺陷检查方法。

主权项

1、一种缺陷检查系统，在半导体制造工艺中检查半导体的缺陷，其特征在于，具备：电路设计数据存储部，该电路设计数据存储部存储电路设计数据；布局设计数据存储部，该布局设计数据存储部存储图案布局的设计数据；时序解析部，该时序解析部从所述电路设计数据存储部中读出电路设计数据，抽出信号传输动作的精度要求比其它的部位高的电路上的关键路径；关键路径抽出部，该关键路径抽出部对从所述电路设计数据存储部中读出的电路设计数据、与从所述布局设计数据存储部读出的布局设计数据加以对照，抽出包含用所述时序解析部抽出的关键路径的图形数据；关键路径存储部，该关键路径存储部存储包含用所述关键路径抽出部抽出的关键路径的图形数据；检查处置方案编制部，该检查处置方案编制部根据所述关键路径存储部存储的图形数据的坐标信息，决定检查部位；以及SEM式缺陷评价装置，该SEM式缺陷评价装置按照所述检查处置方案编制部编制的检查处置方案，取得晶片上的检查部位的图象。