[发明专利]半导体器件以及制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 200710112299.X | 申请日： | 2007-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN101140933A | 公开（公告）日： | 2008-03-12 |
| 发明（设计）人： | 金炳烈;大谷洋一;陈晓萌 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L27/12;H01L23/522;H01L21/8238;H01L21/84;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 半导体器件以及制造半导体器件的方法，涉及具有混合沟道定向并通过被嵌入半导体基片内的导电连接器连接的互补器件，例如n－FETs和p－FETs。具体而言，该半导体基片拥有具有不同表面晶向(即，混合定向)的至少第一和第二器件区。在第一和第二器件区中的一个形成n－FET，在第一和第二器件区中的另一个形成p－FET。n－FET和p－FET通过位于第一和第二器件区之间并被嵌入半导体基片内的导电连接器电连接。优选地，首先在第一和第二器件区之间提供介电分隔件，并使介电分隔件凹进以在其间形成间隙。然后，在上述凹进的介电分隔件上方的间隙内形成导电连接器。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：半导体基片，其至少包括具有不同表面晶向的第一和第二器件区；n型沟道场效应晶体管(n-FET)；以及p型沟道场效应晶体管(n-FET)；其中n-FET包括位于第一和第二器件区中的一个内的源区、漏区以及沟道区，其中p-FET包括位于第一和第二器件区中的另一个内的源区、漏区以及沟道区，以及其中n-FET和p-FET通过位于第一和第二器件区之间并被嵌入半导体基片内的导电连接器电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
