[发明专利]被处理体的保持装置无效
| 申请号： | 200710119104.4 | 申请日： | 2007-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN101345203A | 公开（公告）日： | 2009-01-14 |
| 发明（设计）人： | 彭宇霖 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;C23C16/458;C23C14/50 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵镇勇;姚巍 |
| 地址： | 100016北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种被处理体的保持装置，包括绝缘层、铝基座，绝缘层与铝基座之间通过硅粘结剂粘结。绝缘层包括多层陶瓷层，自上而下分别为第一陶瓷层、直流电极层、第二陶瓷层、电加热器层、第三陶瓷层，通过陶瓷烧结工艺烧结制成。绝缘层厚度易控制，绝缘层不易与铝基座脱离，大大提高了被处理体的保持装置的使用寿命，增加电加热器层可实现对被处理体的保持装置的温度控制，且可以将绝缘层的上表面设计为凹凸状，有利于氦气进入晶片与绝缘层之间的缝隙实现对晶片的传热，使晶片表面温度分布均匀。主要应用于半导体晶片加工设备中。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 保持 装置 | ||
【主权项】：
1、一种被处理体的保持装置，包括绝缘层、铝基座，其特征在于，所述绝缘层包括多层陶瓷层，并通过陶瓷烧结工艺烧结制成，所述的绝缘层与铝基座之间通过粘结剂粘结。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
