[发明专利]一种半导体列阵器件的微沟道叠层封装方法无效
| 申请号： | 200710120051.8 | 申请日： | 2007-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN101364547A | 公开（公告）日： | 2009-02-11 |
| 发明（设计）人： | 刘媛媛;方高瞻;马骁宇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/56;H01S5/00;H01S5/40 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及光电子技术领域，公开了一种半导体列阵器件的微沟道叠层封装方法，该方法包括：将大功率半导体列阵器件(12)封装在单片微沟道热沉(13)上，形成单片微沟道器件(18)；将若干个形成的单片微沟道器件(18)叠层粘结在一起，形成叠层器件；对形成的叠层器件进行烘烤，实现对半导体列阵器件的微沟道叠层封装。利用本发明，实现了高功率密度输出。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 列阵 器件 沟道 封装 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体列阵器件的微沟道叠层封装方法，其特征在于，该方法包括：将大功率半导体列阵器件(12)封装在单片微沟道热沉(13)上，形成单片微沟道器件(18)；将若干个形成的单片微沟道器件(18)叠层粘结在一起，形成叠层器件；对形成的叠层器件进行烘烤，实现对半导体列阵器件的微沟道叠层封装。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
