[发明专利]液晶显示装置阵列基板的制造方法有效
| 申请号： | 200710121529.9 | 申请日： | 2007-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN101382712A | 公开（公告）日： | 2009-03-11 |
| 发明（设计）人： | 宋泳珍 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;H01L27/12;H01L21/027;H01L21/00;G03F7/00 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘 芳 |
| 地址： | 100176北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种液晶显示装置阵列基板的制造方法，包括在基板上依次沉积透明电极层和栅金属层，沉积光刻胶，采用第一掩模板进行掩模、蚀刻后，形成由栅金属层和透明电极层构成的栅线、栅电极和像素电极，去除剩余光刻胶；依次沉积栅绝缘层、非晶硅层和重掺杂非晶硅层，沉积光刻胶，采用第二掩模板进行掩模、蚀刻后，使栅绝缘层覆盖栅线并去掉像素电极上的栅金属层；沉积数据金属层，沉积光刻胶，采用第三掩模板进行掩模、蚀刻后，形成数据线，源漏电极及其间隔区域，去除剩余光刻胶。本发明通过减少掩模板数到3次，使得总工程的容量大大增加，所用的时间缩短，产品成品率提高，从而降低产品成本。 | ||
| 搜索关键词： | 液晶 显示装置 阵列 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种液晶显示装置阵列基板的制造方法，其特征在于:第一工程、基板表面依次沉积透明电极层和栅金属层，用第一掩模板蚀刻，形成由所述透明电极层和栅金属层构成的像素电极、栅线和从所述栅线分支出来的栅电极；第二工程、经过第一工程的基板表面依次沉积栅绝缘层、非晶硅层、重掺杂非晶硅层，用第二掩模板蚀刻，所述栅绝缘层覆盖住所述栅线和栅电极，所述栅电极上方残留非晶硅层和重掺杂非晶硅层，在所述像素电极上部去掉栅金属层露出所述透明电极层；第三工程、经过第二工程的基板表面沉积数据金属层，用第三掩模板蚀刻，形成源漏电极和数据线，所述源漏电极的间隔区域露出非晶硅层。
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