[发明专利]补偿型灰阶掩膜版结构有效
| 申请号： | 200710121555.1 | 申请日： | 2007-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN101387825A | 公开（公告）日： | 2009-03-18 |
| 发明（设计）人： | 吕敬;崔承镇 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/00 | 分类号： | G03F1/00;G03F7/00;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘 芳 |
| 地址： | 100176北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种补偿型灰阶掩膜版结构，包括掩膜版，所述掩膜版上设置有U形状的源极区域，矩形状端部位于所述源极区域内的漏极区域，以及位于所述源极区域与漏极区域之间的U形状的阻碍条，所述源极区域与阻碍条之间、所述阻碍条与漏极区域之间形成缝隙，本发明通过在源极区域端部的内侧设置补偿区域，有效补偿了现有技术的沟道侵蚀缺陷。本发明结构简单，易于实现，不需增加成本，能有效改进现有TFT的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 补偿 型灰阶掩膜版 结构 | ||
【主权项】：
1. 一种补偿型灰阶掩膜版结构，包括掩膜版，所述掩膜版上设置有U形状的源极区域，矩形状端部位于所述源极区域内的漏极区域，以及位于所述源极区域与漏极区域之间的U形状的阻碍条，所述源极区域与阻碍条之间、所述阻碍条与漏极区域之间形成缝隙，其特征在于：所述源极区域端部的内侧设置有能补偿沟道侵蚀缺陷的第一补偿区域。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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