[发明专利]半导体装置

摘要

本发明的目的是提供可靠性高的电阻。此外，本发明的目的是实现在同一半导体基板上混载有MOS晶体管和电阻的半导体装置的小型化。在P型半导体基板(10)的表面上形成N型阱区域(11)，在该阱区域11的表面上形成P－型电阻层(20)。并且，在阱区域(11)上环状地围绕电阻层(20)形成导电层(30)。在通常动作中，向导电层(30)施加规定的电压，没有在导电层(30)的下部形成沟道，从而将其他元件(例如P沟道型MOS晶体管1)与下拉电阻(2)分离。电阻层(20)与元件分离绝缘膜不接触。在由元件分离绝缘膜围绕的一个区域内形成PMOS(1)和下拉电阻(2)这两者。

主权项

1、一种半导体装置，在第一导电型半导体基板上具备MOS晶体管和电阻，其中，所述MOS晶体管形成在所述半导体基板表面上形成的第二导电型阱层内，在所述阱层上形成元件分离绝缘膜，所述电阻包括：第一导电型电阻层，其形成在与所述MOS晶体管形成的阱层相同的阱层内，并且形成在所述阱层的表面上；以及导电层，其在所述阱层上，且包围所述电阻层并形成为环状，在由所述元件分离绝缘膜包围的一个区域内形成有所述MOS晶体管和所述电阻这两者。