[发明专利]具备非易失性半导体存储器的存储器系统无效
| 申请号： | 200710126960.2 | 申请日： | 2007-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN101097543A | 公开（公告）日： | 2008-01-02 |
| 发明（设计）人： | 辻秀贵 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | G06F12/06 | 分类号： | G06F12/06 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 李峥;刘薇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种存储器系统，包括：非易失性半导体存储器(11)和控制器(12)。非易失性半导体存储器(11)具备各自包括能够保持数据的存储单元(MC)的多个存储块(BLK0～BLKn)。各个存储块(BLK0～BLKn)内的数据被一并地擦除。在每一个存储块(BLK0～BLKn)内，数据以作为多个存储单元(MC)的集合的页为单位一并地写入。控制器(12)对非易失性存储器(11)传送写入数据和第1行地址，并且发布所传送的上述第1行地址的变更指令和与该第1行地址不同的第2行地址。非易失性半导体存储器(11)在没有发布变更指令时，将写入数据写入与第1行地址对应的页；在发布了变更指令时，将写入数据写入与第2行地址对应的页。 | ||
| 搜索关键词： | 具备 非易失性 半导体 存储器 系统 | ||
【主权项】：
1.一种存储器系统，包括：非易失性半导体存储器，其具备各自包括能够保持数据的存储单元的多个存储块，各个存储块内的数据被一并地擦除，在每一个上述存储块内，上述数据以作为多个上述存储单元的集合的页为单位一并地写入；以及控制器，其对上述非易失性存储器传送写入数据和第1行地址，并且发布所传送的上述第1行地址的变更指令和与该第1行地址不同的第2行地址；其中，上述非易失性半导体存储器，在没有发布上述变更指令时，将上述写入数据写入与上述第1行地址对应的上述存储单元；在发布了上述变更指令时，将上述写入数据写入与上述第2行地址对应的上述存储单元。
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