[发明专利]改善通道间绝缘的集成滤波器结构及制造方法有效
| 申请号： | 200710127341.5 | 申请日： | 2007-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN101102100A | 公开（公告）日： | 2008-01-09 |
| 发明（设计）人： | 苏达哈玛·C.·沙斯特里;温彦婷 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H03H9/46 | 分类号： | H03H9/46;H03H3/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 改善通道间绝缘的集成滤波器结构及制造方法。在一个实施例中，滤波器结构包括利用半导体基片形成的第一和第二滤波器器件。垂直接地平面结构防止了第一和第二滤波器器件之间的交叉耦合。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 通道 绝缘 集成 滤波器 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种滤波器结构，其特征在于：第一滤波器器件，其至少部分地形成在具有第一主表面的第一导电型半导体基片内，其中，所述第一滤波器器件提供所述滤波器结构的第一通道；第二滤波器器件，其至少部分地形成在所述半导体基片内，以及与所述第一滤波器器件分隔；其中，所述第二滤波器器件提供所述滤波器结构的第二通道；以及第一接地平面结构，其形成为覆盖在所述半导体结构之上，其中，所述第一接地平面结构在所述半导体基片上垂直地延伸，以及所述第一接地平面结构构造成在所述滤波器结构运行时，降低所述第一和第二通道之间的交叉通道耦合。
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