[发明专利]多位存储装置和存储系统有效
| 申请号： | 200710128838.9 | 申请日： | 2007-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN101079322A | 公开（公告）日： | 2007-11-28 |
| 发明（设计）人： | 黄相元;李宗洙 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;G11C16/26;G11C29/42 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 邵亚丽 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开了一种非易失性存储装置、存储系统和读取方法。该存储装置包括：存储单元阵列，包括多个存储块，每个存储块具有用于存储N位的多个存储单元，其中N是大于1的整数；页缓冲器，构建为执行用于从存储单元阵列中读取数据并输出所读取的数据的读取操作；误差校正电路，构建为检测并校正存储块K中存储的读取数据中的误差，并生成相应的误差信息；以及控制电路，构建为响应于误差信息降低从N到J的存储块K的多个存储单元中存储的位数，其中J是小于N但是大于0的整数。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 装置 存储系统 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性存储装置，包括：存储单元阵列，包括多个存储块，每个存储块具有适用于存储N位的多个存储单元，其中N是大于1的整数；页缓冲器，构建为执行适用于从存储单元阵列中读取数据并输出所读取的数据的读取操作；误差校正电路，构建为检测并校正存储块K中存储的读取数据中的误差，并生成相应的误差信息；以及控制电路，构建为响应于误差信息对从N到J的存储块K降低在多个存储单元中存储的位数，其中J是小于N但是大于0的整数。
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