[发明专利]晶片激光刻印方法与其系统无效
申请号: | 200710129730.1 | 申请日: | 2007-07-24 |
公开(公告)号: | CN101355011A | 公开(公告)日: | 2009-01-28 |
发明(设计)人: | 郑匡文;卢玟瑀 | 申请(专利权)人: | 京元电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00 |
代理公司: | 北京连和连知识产权代理有限公司 | 代理人: | 王光辉 |
地址: | 台湾省新*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供一种晶片激光刻印(Laser Marking)方法与其系统,其以激光刻印方式在晶片上刻印多种信息,主要包括以下步骤:提供刻印文件,其中包含有多个不相同的刻印信息对应至不相同的芯片;读取该刻印文件;提供数据暂存区,依芯片顺序储存该刻印文件的部份或全部;载入晶片至刻印机台;执行该晶片定位;将该晶片各芯片所对应的刻印信息循序刻印于该芯片的被动面,直至刻印完毕;以及自刻印机台释出该晶片。 | ||
搜索关键词: | 晶片 激光 刻印 方法 与其 系统 | ||
【主权项】:
1.一种晶片的激光刻印方法,其以激光方式在晶片上刻印多种信息,其特征在于以下步骤:提供刻印文件,其包含有多个不相同的刻印信息,分别对应至该晶片上不相同位置的芯片;读取该刻印文件;提供数据暂存区,依芯片顺序储存该刻印文件的一部份或全部;载入晶片至刻印机台;执行该晶片定位;循序刻印于晶片上各芯片被动面,直至刻印完毕;以及自刻印机台释出该晶片。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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