[发明专利]曝光掩模及使用该曝光掩模制造半导体器件的方法

摘要

本发明公开一种用于凹式栅极的曝光掩模，所述曝光掩模包括透明基板和凹式栅极图案。所述凹式栅极图案布置在所述透明基板上方。所述凹式栅极图案包括具有第一线宽的第一部分和具有第二线宽的第二部分，所述第二线宽小于所述第一线宽。在所述第二部分中，所述凹式栅极图案的各元件间隔开。

主权项

1.一种曝光掩模，其用于在具有多个有源区的半导体基板上形成凹式栅极，所述曝光掩模包括：透明基板；以及凹式栅极图案，其包括布置在所述透明基板上方的多条栅极线，所述凹式栅极图案还包括具有第一线宽的第一部分和具有第二线宽的第二部分，所述第二线宽小于所述第一线宽，其中，在所述第二部分中，所述凹式栅极图案的相邻元件以距离t间隔开，其中0＜t＜1/5F，F是两条相邻栅极线之间的距离。