[发明专利]用于制造半导体器件的方法无效
| 申请号： | 200710130156.1 | 申请日： | 2007-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN101211820A | 公开（公告）日： | 2008-07-02 |
| 发明（设计）人： | 黄昌渊;安炫 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾红霞;张天舒 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：在半导体基板之上形成凹式栅极；在所述凹式栅极的侧壁上形成栅极间隙壁；软性蚀刻连接插塞触点区域中的半导体基板，以形成具有圆形轮廓的凹陷部；在所述栅极间隙壁上以及所述凹陷部的侧壁上形成侧壁间隙壁；在所述半导体基板之上形成绝缘膜；选择性地蚀刻所述绝缘膜，以形成连接插塞接触孔；以及在所述连接插塞接触孔中填充导电层，以形成连接插塞。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括如下步骤：在限定连接插塞触点区域的半导体基板之上形成凹式栅极；在所述凹式栅极的侧壁上形成栅极间隙壁；软性蚀刻所述连接插塞触点区域中的半导体基板，以形成具有圆形轮廓以及侧壁的凹陷部；在所述栅极间隙壁上以及所述凹陷部的侧壁上形成侧壁间隙壁；在包括所述凹式栅极、所述凹式栅极间隙壁以及所述凹陷部的半导体基板之上形成绝缘膜；选择性地蚀刻所述绝缘膜，以形成连接插塞接触孔；以及利用导电层填充所述连接插塞接触孔，以形成连接插塞。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
