[发明专利]用于绝缘体上的硅槽刻蚀方法

摘要

本发明涉及集成电路的生产方法，具体地说是一种用于CMOS/SOI(绝缘体上硅)材料的硅槽刻蚀工艺。所述用于绝缘体上的硅槽刻蚀方法包括位于衬底硅1上的埋氧层2，在埋氧层2上有顶层硅3，其特征是：步骤一、先在顶层硅3上进行传统的热氧化，形成SiO₂层4，再在SiO₂层4淀积SiN，形成SiN层5；步骤二、在SiN层5上涂常用的光刻胶6，再形成硅槽刻蚀窗口；步骤三、再对硅槽刻蚀窗口进行等离子体反应刻蚀，露出顶层硅3；步骤四、用混合酸对露出的顶层硅3进行各向同性的硅槽腐蚀；步骤五、对上述经混合酸腐蚀过的顶层硅3继续进行等离子体反应刻蚀，形成硅槽；步骤六、对硅槽进行传统的LOCOS氧化。本发明可以减缓完全干法硅槽刻蚀+LOCOS氧化隔离工艺中，硅槽形貌过于陡直的状况。

主权项

1.用于绝缘体上的硅槽刻蚀方法，包括位于衬底硅(1)上的埋氧层(2)，在埋氧层(2)上有顶层硅(3)，其特征是：步骤一、先在顶层硅(3)上进行热氧化，形成SiO2层(4)，再在SiO2层(4)淀积SiN，形成SiN层(5)；步骤二、在SiN层(5)上涂光刻胶(6)，并留出一个没有涂光刻胶(6)的区域，对该区域进行光刻，形成硅槽刻蚀窗口；步骤三、再对硅槽刻蚀窗口进行等离子体反应刻蚀，腐蚀掉SiN层(5)与SiO2层(4)，露出顶层硅(3)，所述等离子体气体的主要成分为90sccm的SF6、50sccm的He；步骤四、用混合酸对露出的顶层硅(3)进行各向同性的硅槽腐蚀，腐蚀深度0.3～0.6μm；所述混合酸包括5.59份的HNO3、0.134份的HF、2.27份的H2O；单位为体积份；步骤五、对上述经混合酸腐蚀过的顶层硅(3)继续进行等离子体反应刻蚀，形成硅槽，刻蚀深度0.3～0.6μm，等离子体的主要气体成分包括70sccm的Cl2、150sccm的He；步骤六、对硅槽进行LOCOS氧化，形成的氧化层(7)和埋氧层(2)相连形成SOI硅槽的全介质隔离。