[发明专利]半导体装置之制造方法及半导体装置无效
申请号: | 200710135854.0 | 申请日: | 2007-07-30 |
公开(公告)号: | CN101145527A | 公开(公告)日: | 2008-03-19 |
发明(设计)人: | 田中茂树;长谷部一 | 申请(专利权)人: | 株式会社瑞萨科技 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/60;H01L23/488;H01L23/495 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 王允方;刘国伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的目的在于提高半导体装置的成品率。在无引线封装型半导体装置的制造工序中,使用引线2b前端部被压溃加工的压框。引线2b的半导体芯片侧的前端部,随着越接近半导体芯片越变低而倾斜。据此,可减小引线2b前端部的压溃加工量,因此,可抑制或防止引线2b前端部弹起。此外,使引线2b前端部倾斜,并使所述压溃加工量大于形成于引线2b前端部的镀敷层2e的厚度。据此,当将镀敷层2e形成后的引线框重叠进行搬运或保管时,可降低或防止产生如下不良情况:上侧引线2b和下侧引线2b的镀敷层2e相接触,而导致在所述镀敷层2e上形成擦伤。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体装置的制造方法,其特征在于,具有如下工序:(a)工序,准备引线框,所述引线框具有沿着厚度方向相互位于相反侧的第1主面及第2主面,且具有在每个单位区域中的芯片搭载部及多个引线;(b)工序,在所述引线框的所述芯片搭载部的第2主面上,搭载所述半导体芯片;(c)工序,通过焊接线电性连接所述半导体芯片和所述引线框的所述多个引线;(d)工序,以覆盖所述多个引线的各引线的一部分,整个所述半导体芯片及整个所述焊接线的方式,形成封装体;(e)工序,在所述多个引线中,对从所述封装体中露出的部分进行镀敷处理;以及(f)工序,切割所述引线框的一部分,使所述封装体从所述引线框分开,且对所述(a)工序中的引线框实施如下工序,(a1)在所述引线框的所述多个引线的各引线的第2主面中,在并未接合有所述焊接线且由所述封装体覆盖的部分中,在和所述多个引线的各引线的第2主面交叉的方向上,以横切所述多个引线的各引线长度方向的方式,形成凹槽,(a2)在所述引线框中所述多个引线的各引线第2主面上,对接合有所述焊接线的部分,以相对靠近所述半导体芯片的位置的压溃量大于相对远离所述半导体芯片的位置的压溃量的方式进行压溃加工,(a3)对所述引线框中所述多个引线接合有所述焊接线的部分,实施镀敷处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造