[发明专利]自对准双段衬垫及其制造方法

摘要

一种形成覆盖第一和第二组半导体器件的双段衬垫的方法。该方法包括形成第一衬垫以及其的顶部上的第一保护层，第一衬垫覆盖第一组半导体器件；形成第二衬垫，第二衬垫具有覆盖第一保护层的第一部分、过渡部分以及覆盖第二组半导体器件的第二部分，第二部分通过过渡部分与第一衬垫自对准；在第二衬垫的第二部分的顶部上形成第二保护层；去除第二衬垫的第一部分以及过渡部分的至少一部分；以及获得包括第一衬垫、第二衬垫的过渡部分和第二部分的双段衬垫。还提供了具有根据本发明的一种实施方案而形成的自对准双段衬垫的半导体结构。

主权项

1.一种形成覆盖单衬底上的第一和第二组半导体器件的双段衬垫的方法，该方法包括：形成覆盖所述第一组半导体器件的第一衬垫和在所述第一衬垫的顶部上的第一保护层，所述第一保护层具有平坦顶表面；形成第二衬垫，所述第二衬垫具有覆盖所述第一保护层的第一部分、过渡部分、以及覆盖所述第二组半导体器件的第二部分，所述第二部分通过所述过渡部分与所述第一衬垫自对准；在所述第二衬垫的所述第二部分的顶部上形成第二保护层；去除所述第二衬垫的所述第一部分以及所述过渡部分的至少一部分；以及获得包括所述第一衬垫、所述第二衬垫的所述过渡部分的一部分和所述第二部分的所述双段衬垫。