[发明专利]非易失性存储器有效
| 申请号： | 200710136469.8 | 申请日： | 2007-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN101105975A | 公开（公告）日： | 2008-01-16 |
| 发明（设计）人： | 加藤清;山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 浦柏明;刘宗杰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的是提供一种能够实现高集成化的非易失性存储器。在本发明中设置：对应于行方向和列方向将多个存储单元配置为矩阵状的存储单元阵列；多个第一字线；多个第二字线；以及多个位线，其中，多个存储单元的每一个具有串联连接的第一存储晶体管和第二存储晶体管，并且，第一存储晶体管的栅电极连接到第一字线，并且，第二存储晶体管的栅电极连接到第二字线，并且，第一存储晶体管的源区或漏区中的一个连接到第一位线，并且，第二存储晶体管的源区或漏区中的另一个连接到第二位线，并且，第一位线和第二位线分别提供为在提供有存储单元的列的存储单元与相邻的列的存储单元之间通用。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性存储器，包括：沿行方向和列方向将多个存储单元配置为矩阵状的存储单元阵列；多个第一字线；多个第二字线；以及多个位线，其中，所述多个存储单元的每一个具有串联连接的第一存储晶体管和第二存储晶体管，并且，所述第一存储晶体管的栅电极连接到所述第一字线，并且，所述第二存储晶体管的栅电极连接到所述第二字线，并且，所述第一存储晶体管的源区和漏区中的一个连接到第一位线，并且，所述第二存储晶体管的源区和漏区中的一个连接到第二位线，并且，所述第一位线和所述第二位线提供为在相邻的列的存储单元之间通用。
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