[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200710136666.X | 申请日： | 2007-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN101114571A | 公开（公告）日： | 2008-01-30 |
| 发明（设计）人： | 鬼头杰;佐藤充;永田祐三;桥本耕治 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/027;H01L21/033;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制造方法。在作为被刻蚀构件的多晶硅膜上形成第1硬掩模，进而在其上形成由非晶硅构成的第2硬掩模。在对第2硬掩模的所希望的一部分进行了硼等的离子注入后，将第2硬掩模作为掩模刻蚀第1硬掩模。利用湿法刻蚀刻蚀除去第2硬掩模未被进行离子注入的部分。在第1硬掩模的侧壁上形成了侧壁膜后，有选择地刻蚀除去未被上述第2硬掩模覆盖而露出上部的第1硬掩模。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，具备下述工序：在被刻蚀构件上形成第1硬掩模的工序；在上述第1硬掩模上形成第2硬掩模的工序；对上述第2硬掩模的一部分进行离子注入、以进行与未被进行离子注入的部分相比使对于湿法刻蚀的刻蚀速率变化的改质的工序；将上述第2硬掩模作为掩模来刻蚀上述第1硬掩模的工序；利用湿法刻蚀有选择地只刻蚀除去未被进行离子注入的上述第2硬掩模的工序；在上述第1硬掩模的侧壁上形成侧壁膜的工序；有选择地刻蚀除去未被上述第2硬掩模覆盖而露出上部的第1硬掩模的工序；以及将上述侧壁膜和上述第1硬掩模作为掩模来刻蚀除去上述被刻蚀构件的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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