[发明专利]电容器及其制造方法无效
| 申请号： | 200710136818.6 | 申请日： | 2007-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN101350355A | 公开（公告）日： | 2009-01-21 |
| 发明（设计）人： | 吴孝哲;李名言;蔡文立 | 申请（专利权）人： | 茂德科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L23/522;H01L21/8242;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电容器及其制造方法。该电容器包括：第一介电层；沟槽，设置于该第一介电层内，具有第一直径；第一导电层，顺应地设置于该沟槽内为该沟槽所露出的该第一介电层的底面与侧壁上；多个导电插拴，设置于该第一导电层的底面上，该导电插拴各自相隔一间距；电容层，顺应地设置于该导电插拴以及该第一导电层的表面上；以及第四导电层，覆盖该电容层之上，其中该电容层电学隔离该第二导电层与该导电插拴以及该第一导电层。本发明还提出相应的制造方法以形成上述的电容器。 | ||
| 搜索关键词： | 电容器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电容器，包括：第一介电层；沟槽，设置于该第一介电层内，具有第一直径；第一导电层，顺应地设置于该沟槽内，该第一导电层为该沟槽所露出的该第一介电层的底面与侧壁上；多个导电插拴，设置于该第一导电层的底面上，该导电插拴各自相隔一间距；电容层，顺应地设置于该导电插拴以及该第一导电层的表面上；以及第四导电层，覆盖该电容层，其中该电容层电学隔离该第二导电层与该导电插拴以及该第一导电层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
