[发明专利]半导体结构有效
| 申请号： | 200710137027.5 | 申请日： | 2007-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN101281926A | 公开（公告）日： | 2008-10-08 |
| 发明（设计）人： | 林宪信;张文;苏建彰;陈冠宇;宋学昌;游明华 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/12 | 分类号： | H01L29/12;H01L29/78 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体结构。该半导体结构包括：第一含硅化合物层，该第一含硅化合物层包括一元素，该元素大体选自由锗及碳所组成的族群；硅层，在第一含硅化合物层之上，其中该硅层包括实质上的纯硅；及第二含硅化合物层，包括在硅层上的元素。第一及第二含硅化合物层的硅浓度实质上小于硅层。该复合半导体结构可作为金属氧化物半导体(MOS)元件的源极/漏极区。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
【主权项】：
1. 一种半导体结构，包括：一第一含硅化合物层，包括一元素，该元素大体选自由锗及碳所组成的族群；一硅层，在该第一含硅化合物层之上，其中该硅层包括实质上的纯硅；及一第二含硅化合物层，包括在该硅层上的该元素，其中该第一及第二含硅化合物层的硅浓度实质上小于该硅层。
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