[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200710137305.7 | 申请日： | 2007-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN101110358A | 公开（公告）日： | 2008-01-23 |
| 发明（设计）人： | 朴真河 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/266;H01L21/208;H01L21/336;H01L27/04;H01L29/49;H01L29/78 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郑小军 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。在该方法中，将半导体衬底上的多晶层蚀刻至预定深度。以预定角度将离子注入到多晶层中。再次蚀刻多晶层以暴露半导体衬底的一部分。由此，将应力施加到多晶栅而不是阻挡层，从而解决在进行接触蚀刻期间，由于阻挡层厚度的影响不能打开阻挡层的问题。此外，将应力施加到与半导体衬底的沟道区直接接触的多晶栅上，使得因多晶栅的应力引起的张力直接导致沟道区的张力，从而提高迁移率，进而显著增强器件特性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，该方法包括：在半导体衬底上形成具有预定厚度的多晶层；使用光致抗蚀剂图案作为掩模，将该多晶层蚀刻至预定深度；以相对于离子注入方向呈预定角度的方式，将离子注入到该多晶层；以及使用该光致抗蚀剂图案作为掩模，蚀刻被注入离子的该多晶层，以暴露该半导体衬底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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