[发明专利]薄膜晶体管基板及其制造方法

摘要

本发明提供一种不追加新的工序就能抑制亚阈值特性中的峰值特性的薄膜晶体管。一种具有第1导电类型的薄膜晶体管的薄膜晶体管基板，其包括：具有在源/漏区(31)间配置的第1导电类型的沟道区(32)的半导体层(3)、和隔着栅绝缘膜(5)在半导体层(3)的对面侧形成的栅电极(6)，在与沟道区(32)的沟道宽度方向的两端部(4)对应的栅电极(6)处具有开口部(61)，在与开口部(61)对应的沟道区(4)中，形成第1导电类型的杂质浓度比与栅电极(6)对应的沟道区高的高浓度杂质区。

主权项

1.一种薄膜晶体管基板，具有第1沟道导电类型的薄膜晶体管和第2沟道导电类型的薄膜晶体管，其特征在于，在两薄膜晶体管中，在沟道区的端部上的锥部分的至少一部分区域的、隔着栅绝缘膜而相向的栅电极处，设置开口部，在第1沟道导电类型的薄膜晶体管中的与上述开口部对应的沟道区，具备与第2沟道导电类型的薄膜晶体管的源/漏区相同类型的杂质区，在第2沟道导电类型的薄膜晶体管中的与上述开口部对应的沟道区，具备与第1沟道导电类型的薄膜晶体管的源/漏区相同类型的杂质区。