[发明专利]应变沟道MOS元件有效
| 申请号： | 200710138023.9 | 申请日： | 2007-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN101118928A | 公开（公告）日： | 2008-02-06 |
| 发明（设计）人： | 陈豪育;杨富量 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种选择性应变MOS元件，其中该MOS元件可为由一组NMOS元件以及PMOS元件所组成的选择性应变PMOS元件，且其不影响NMOS元件上的应变。其形成方法包括提供半导体基材，其中半导体基材包括底半导体层、配置于该底半导体层上的绝缘层以及配置于该绝缘层上的顶半导体层；图案化该顶半导体层以及绝缘层用以形成MOS作用区；形成MOS元件于MOS作用区上，且MOS元件包括栅极结构以及沟道层；以及进行氧化工艺，将一部份的顶半导体层氧化用以在沟道层上产生应变。本发明不仅克服了现有技术的缺点以及不足，并提升了元件性能且改善其工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 应变 沟道 mos 元件 | ||
【主权项】：
1.一种应变沟道MOS元件，其特征在于包括：一MOS作用区，包括：一底半导体层；一绝缘层，配置于该底半导体层之上；及一顶半导体层，配置于该绝缘层之上；一MOS元件，位于该MOS作用区上，且包括一栅极结构以及一沟道层；以及一部份氧化的顶半导体层，选择性地于沟道层中形成一应变。
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