[发明专利]静电吸附电极、基板处理装置和静电吸附电极的制造方法有效
| 申请号： | 200710140390.2 | 申请日： | 2007-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN101188207A | 公开（公告）日： | 2008-05-28 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木芳彦;南雅人 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;C23C16/458;C23C14/50 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种抑制绝缘层发生裂纹的静电吸附电极。在静电吸盘(40b)中，将由具有与基材(41)的线膨胀系数之差的绝对值在14×10－6[/℃]以下的线膨胀系数的陶瓷喷涂膜形成的第1绝缘层(42b)插入在基材(41)和氧化铝喷涂膜的第2绝缘层(44b)之间。因为第1绝缘层(42b)作为缓冲层发挥作用，从而改善了静电吸盘(40b)的耐热性，能够抑制裂纹的发生。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 吸附 电极 处理 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种静电吸附电极，其为具备在基板处理装置中通过静电力将基板吸附并保持的基板保持面的静电吸附电极，其特征在于，具有：基材；设置在该基材上的绝缘层；设置在所述绝缘层中的电极，其中，所述绝缘层的一部分或全部是由具有与所述基材的线膨胀系数之差的绝对值在14×10-6[/℃]以下的线膨胀系数的陶瓷喷涂膜形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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