[发明专利]电子装置、显示装置、接口电路和差分放大装置无效
| 申请号： | 200710141657.X | 申请日： | 2007-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN101140940A | 公开（公告）日： | 2008-03-12 |
| 发明（设计）人： | 河内玄士朗 | 申请（专利权）人： | 株式会社液晶先端技术开发中心 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王英 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及采用形成于绝缘衬底上的薄膜晶体管构造的电子装置、显示装置、接口电路和差分放大装置。一种集成电路形成于包括显示装置的绝缘衬底上，其被配置为同时集成MOS晶体管和双极晶体管。一种电子装置或显示器包括多个半导体器件，所述多个半导体器件是利用半导体薄膜形成的且形成于所述半导体薄膜(105)中，所述半导体薄膜提供于绝缘衬底(101)上且是沿着预定方向结晶的。所述多个半导体器件包括MOS晶体管(300)和横向双极薄膜晶体管(100)与MOS双极混合薄膜晶体管(200)至少之一。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 装置 显示装置 接口 电路 放大 | ||
【主权项】：
1.一种包括多个半导体器件的电子装置，所述多个半导体器件是利用半导体薄膜形成的且形成于所述半导体薄膜中，所述半导体薄膜提供于绝缘衬底上并且是沿着预定方向结晶的，所述多个半导体器件包括：MOS晶体管；以及横向双极薄膜晶体管和MOS双极混合薄膜晶体管中的至少一种。
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- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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