[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200710141744.5 | 申请日： | 2007-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN101131968A | 公开（公告）日： | 2008-02-27 |
| 发明（设计）人： | 郑恩洙 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L23/522;H01L21/00;H01L21/02;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 夏凯;钟强 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，其可以通过使用材料的氧化特性来使特征尺寸变窄。在一种方法中，使用光刻工艺将多晶硅层形成细微的图形直至关键尺寸。然后，可以氧化形成图形的多晶硅层，从而通过氧化工艺使相邻的多晶硅图形之间的缝隙变窄和使多晶硅图形变窄。变窄的多晶硅图形和/或变窄的相邻的多晶硅图形之间的缝隙可被用于形成多晶硅层下面的衬底(或层)中的通路或沟槽，其具有比关键尺寸窄的宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：形成于衬底上的第一沟槽，所述第一沟槽具有等于或小于预定关键尺寸的一半的宽度；以及形成于衬底上的第二沟槽，所述第二沟槽具有等于或小于该预定关键尺寸的一半的宽度，其中该第一沟槽和第二沟槽在衬底上形成不同的深度。
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