[发明专利]使用选择性蚀刻形成存储器的隔离结构的方法无效
| 申请号： | 200710142370.9 | 申请日： | 2007-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN101136323A | 公开（公告）日： | 2008-03-05 |
| 发明（设计）人： | 朴大镇 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033;H01L21/8247;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 彭久云;许向华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种选择性蚀刻方法，包括：混合聚合物与碳纳米管；应用该混合物至蚀刻目标层以形成碳纳米管－聚合物复合层；藉由图案化该碳纳米管－聚合物复合层以形成硬掩模，从而选择性暴露蚀刻目标层的一部分；以及选择性蚀刻经由该硬掩模所暴露的蚀刻目标层。该聚合物优选包括光致抗蚀剂。本发明还提供一种使用该选择性蚀刻法形成存储器的隔离结构的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 选择性 蚀刻 形成 存储器 隔离 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种选择性蚀刻方法，包括：形成包括聚合物和碳纳米管的混合物；将该混合物应用于蚀刻目标层上，藉此形成碳纳米管-聚合物复合层；藉由图案化该碳纳米管-聚合物复合层来形成硬掩模，藉此选择性暴露该蚀刻目标层的一部分；以及选择性蚀刻经由该硬掩模暴露的该蚀刻目标层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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