[发明专利]随机存取存储器的电容的下电极的制作方法及其下电极无效
| 申请号： | 200710142755.5 | 申请日： | 2007-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN101373740A | 公开（公告）日： | 2009-02-25 |
| 发明（设计）人： | 吴孝哲;李名言;蔡文立 | 申请（专利权）人： | 茂德科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242;H01L21/02;H01L21/28;H01L27/108;H01L29/43 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 许向华;彭久云 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种随机存取存储器的电容的下电极的制作方法及其下电极，该方法包含形成一电极基材结构于一隔离层的凹槽内；沉积一金属层覆盖该电极基材结构；使该电极基材结构以及该金属层两者形成一化合物；以及去除该金属层未形成该化合物的部分。该下电极设于凹槽的壁面上，并由一电极基材结构与一金属层两者所形成的一化合物所形成。 | ||
| 搜索关键词： | 随机存取存储器 电容 电极 制作方法 及其 | ||
【主权项】：
1.一种随机存取存储器的电容的下电极的制作方法，包含:形成电极基材结构于隔离层的凹槽壁面上；形成金属层覆盖该电极基材结构；使用热工艺使该金属层与该电极基材结构两者形成化合物；以及移除该金属层未与该电极基材结构形成该化合物的部分，以得到下电极构造。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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