[发明专利]闪存器件及编程方法有效
| 申请号： | 200710142756.X | 申请日： | 2007-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN101154452A | 公开（公告）日： | 2008-04-02 |
| 发明（设计）人： | 金基锡 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 钱大勇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种用于编程闪存器件的方法包括：选择与多个存储器串连接的位线；以及选择字线。将较低位编程到与所选择的字线连接的存储单元内，且将较高位编程到该存储单元内。重复所述选择字线的步骤以及所述编程该较高位的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 器件 编程 方法 | ||
【主权项】：
1.一种编程闪存器件的方法，该方法包括：选择连接至多个存储器串的位线；选择字线；将较低位编程到与所选择的字线连接的存储单元内，并将较高位编程到所述存储单元内；以及重复所述选择字线的步骤以及所述编程较高位的步骤。
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