[发明专利]半导体器件、半导体集成电路以及凸点电阻测定方法无效
| 申请号： | 200710142757.4 | 申请日： | 2007-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN101154654A | 公开（公告）日： | 2008-04-02 |
| 发明（设计）人： | 清水目和年;山田隆章 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01L25/00 | 分类号： | H01L25/00;H01L23/48;H01L23/52;H01L23/544;H01L27/02;H01L21/66;G01R31/28;G01R31/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 黄小临 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的半导体器件、半导体集成电路及凸点电阻测定方法可容易高精度并低成本地测定将芯片间连接的内部凸点的连接电阻。半导体器件包括主芯片(2)和副芯片(3)，副芯片(3)通过主凸点(Ba，Bb，…)和测定/控制输入凸点(B1～B4)与主芯片(2)连接，上述两个芯片分别包括：每个主凸点的多个电压路径开关(T12a，T12b，…或T13a，T13b，…)；主凸点和测定路径开关的各个连接点(Na2，Nb2，…或Na3，Nb3，…)上所连接的多个电流路径开关(T22a，T22b，…或T23a，T23b，…)；以及控制电路(移位寄存器42或43)，主芯片(2)还包括：用于控制输入、供给固定电流以及电压测定的多个测定/控制端子(Ta～Tf)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 半导体 集成电路 以及 电阻 测定 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：第一半导体芯片；以及第二半导体芯片，通过除了在芯片之间的动作所需数目的主凸点外，还包括规定数目的测定/控制输入凸点的多个凸点，与所述第一半导体芯片连接，所述第一半导体芯片以及第二半导体芯片分别包括：每个所述主凸点上所连接的多个测定路径开关；所述主凸点和所述测定路径开关之间的各个连接点上所连接的多个电流路径开关；以及所述测定路径开关的控制电路，所述第一半导体芯片还包括用于输入所述控制电路的控制信号、提供流过所述电流路径开关的恒流、测定所述连接点的电压的多个测定/控制端子。
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