[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200710142788.X | 申请日： | 2007-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN101131995A | 公开（公告）日： | 2008-02-27 |
| 发明（设计）人： | 韩载元 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/00 | 分类号： | H01L25/00;H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郑小军 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例涉及一种半导体器件及其制造方法，制造方法相对简便并可以最大化产率。该半导体器件可以包含下述的至少其中之一：第一衬底，其包含电容单元；第二衬底，其具有晶体管及引线；以及连接电极，其电连接该电容单元与该电路单元。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种装置，该装置包含：第一衬底，其包含电容单元；第二衬底，其包含电路单元，其中该电路单元包含至少一个晶体管及至少一条引线；以及连接电极，其电连接该电容单元与该电路单元。
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