[发明专利]闪速存储器件

摘要

本发明涉及闪速存储器件以及闪速存储器件的制造方法，其通过增加浮置栅极的表面面积增加控制栅及和浮置栅极之间的耦合系数。在实施方式中，闪速存储器件通过以下步骤形成：在包括氧化物膜、浮置栅极多晶硅膜和BARC(底部抗反射涂层)的半导体衬底上形成用于形成浮置栅极的光刻胶图案，使用光刻胶图案作为掩模进行第一蚀刻工艺以蚀刻浮置栅极多晶硅膜至预定深度，沉积和形成聚合物以覆盖光刻胶图案，在光刻胶图案的两个侧壁上形成聚合物的间隙壁，使用间隙壁作为掩模形成第二蚀刻工艺以暴露出氧化物膜，以及通过灰化和剥离去除BARC、光刻胶图案和间隙壁。

主权项

1.一种方法，包括：在氧化物膜和半导体衬底上方形成浮置栅极多晶硅膜；在第一蚀刻工艺中使用光刻胶图案作为第一掩模蚀刻浮置栅极多晶硅膜至预定深度，留下浮置栅极多晶硅膜的一部分未蚀刻；在浮置栅极多晶硅膜上方在光刻胶图案的侧壁上形成间隙壁；在第二蚀刻工艺中使用间隙壁作为第二掩模蚀刻浮置栅极多晶硅膜以暴露出氧化物膜；和去除间隙壁和光刻胶图案以形成浮置栅极。