[发明专利]半导体存储器件无效
| 申请号： | 200710146858.9 | 申请日： | 2007-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN101178938A | 公开（公告）日： | 2008-05-14 |
| 发明（设计）人： | 林光昭 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | G11C17/18 | 分类号： | G11C17/18 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 浦柏明;刘宗杰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明实现了一种行选择电路小面积化并消除了制造时的曝光、刻蚀等的影响的半导体存储器件。其具备：字线选择电路，与行地址信号连接，以便根据地址输入来选择所希望的字线；以及伪字线电位固定电路，连接于伪存储单元的字线上。与字线选择电路同样地，由NAND门NANDR(i)(i＝－1～m+2)和倒相器INVR(i)(i＝－1～m+2)构成伪字线电位固定电路。伪字线电位固定电路的输入与行地址信号连接，使得伪存储单元的字线始终成为非选择。由此，可使对全部字线进行选择驱动的电路的结构相同，可实现行选择电路的小面积化并消除制造时的曝光、刻蚀等的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器件，其中，具备：存储单元阵列，将连接于字线和位线上的存储单元配置成矩阵状；伪存储单元，在行方向、列方向被配置成与上述存储单元阵列的外周相接，其结构与上述存储单元相同；字线选择电路，与行地址信号连接，以便根据地址输入来选择所希望的字线；以及伪字线电位固定电路，连接于上述伪存储单元的字线上，与上述字线选择电路同样地构成上述伪字线电位固定电路，上述伪字线电位固定电路的输入与行地址信号连接，以使上述伪存储单元的字线始终成为非选择。
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