[发明专利]增加控制栅极与浮动栅极间重叠面积的存储装置及其制法

摘要

一种制造浮动栅极存储器装置的方法，包含利用位于浮动栅极之下的掩埋扩散氧化物，从而在浮动栅极与掩埋扩散氧化物之间，制造增加的阶梯高度。增加的阶梯高度可提供更高的GCR，但仍可减低使用虚拟接地阵列设计的存储单元尺寸。

主权项

1.一种浮动栅极存储器装置，其包含：衬底，包含掩埋扩散区域以及在该掩埋扩散区域中的浅凹陷；第一介质层；浮动栅极，其形成在所述第一介质层之上；掩埋扩散氧化层，其形成在所述浅凹陷中，其中所述浮动栅极的顶部高于所述掩埋扩散氧化层的顶部；以及第二介质层，其形成在所述浮动栅极与所述掩埋扩散氧化层之上。