[发明专利]高纯多晶硅的无损材料检测方法有效
| 申请号： | 200710147827.5 | 申请日： | 2007-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN101135673A | 公开（公告）日： | 2008-03-05 |
| 发明（设计）人： | A·黑根;M·尚茨;B·利希腾内格 | 申请（专利权）人： | 瓦克化学有限公司 |
| 主分类号： | G01N29/07 | 分类号： | G01N29/07;G01N29/28;G01N29/44 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程伟 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及无污染及无损伤检测定形多晶硅体材料缺陷的方法，其中，将定形多晶硅体暴露于超声波中，超声波穿过定形多晶硅体后由超声波接收器记录下来，从而检测出定形多晶硅体内的缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 高纯 多晶 无损 材料 检测 方法 | ||
【主权项】：
1.用于无污染及无损伤检测定形多晶硅体的材料缺陷的方法，其中，将定形多晶硅体暴露于超声波中，超声波穿过定形多晶硅体后由超声波接收器记录下来，从而检测出定形多晶硅体内的缺陷。
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