[发明专利]近接式曝光方法及应用此方法的图案化电极层的制作方法无效
| 申请号： | 200710148219.6 | 申请日： | 2007-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN101377623A | 公开（公告）日： | 2009-03-04 |
| 发明（设计）人： | 王程麒 | 申请（专利权）人： | 奇美电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G02F1/1333 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 左一平 |
| 地址： | 台湾省74144台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种近接式曝光方法，其步骤如下。首先，提供一基板，基板上具有至少一液晶显示面板曝光区，且基板上覆盖有一光刻胶层。接着，提供至少一光掩模，光掩模的尺寸小于液晶显示面板曝光区的尺寸。然后，使用光掩模对液晶显示面板曝光区的不同区域先后进行近接式曝光。利用小尺寸的光掩模分次进行近接式曝光，可以有效地提高近接式曝光法形成的图案的分辨率。此外，将此方法应用在图案化电极层的制作方法上，可制作细致的图案化电极层，并且成本低廉。 | ||
| 搜索关键词： | 近接式 曝光 方法 应用 图案 电极 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种近接式曝光方法，其特征在于包括：提供一基板，该基板上具有至少一液晶显示面板曝光区，且该基板上覆盖有一光刻胶层；提供至少一光掩模，该光掩模的尺寸小于该液晶显示面板曝光区的尺寸；以及使用该光掩模对该液晶显示面板曝光区的不同区域先后进行近接式曝光。
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