[发明专利]TEG图案及利用TEG图案的半导体器件的测试方法无效
申请号: | 200710148571.X | 申请日: | 2007-08-29 |
公开(公告)号: | CN101211894A | 公开(公告)日: | 2008-07-02 |
发明(设计)人: | 洪志镐 | 申请(专利权)人: | 东部高科股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/544 | 分类号: | H01L23/544;H01L21/66 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 郑小军 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明涉及一种TEG图案及利用TEG图案的半导体器件的测试方法。TEG图案包括:多个器件隔离层图案,其在相邻的有源区之间具有预定间隙;位于相邻器件隔离层图案中的有源区图案;以及位于有源区图案中的金属接触件图案。 | ||
搜索关键词: | teg 图案 利用 半导体器件 测试 方法 | ||
【主权项】:
1.一种测试元件组TEG图案,包括:器件隔离层图案,其在相邻的有源区之间具有预定间隙;位于所述器件隔离层图案中的有源区图案;以及位于所述有源区图案中的接触件图案。
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