[发明专利]用于检查交替相移掩模的方法和系统有效
申请号: | 200710149182.9 | 申请日: | 2007-09-05 |
公开(公告)号: | CN101162363A | 公开(公告)日: | 2008-04-16 |
发明(设计)人: | C·K·马格;K·D·巴杰尔;M·S·希布斯 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00;G03F7/20 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 | 代理人: | 于静;李峥 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种检查系统使用偏倚以补偿失配的检查数据,所述失配发生作为使用操作在不同于检查系统用以检查所述掩模的缺陷的光的波长的光的波长处的光学光刻系统印刷交替相移掩模的结果。 | ||
搜索关键词: | 用于 检查 交替 相移 方法 系统 | ||
【主权项】:
1.一种用于检查交替相移掩模的系统,包括:光学扫描器,配置其以扫描所述交替相移掩模和产生光学图像数据;数据库,配置其以存储偏倚以补偿使用所述光学扫描器的所述交替相移掩模的光学扫描响应的检查数据;以及图像处理器,配置其以确定在所述交替相移掩模中是否存在缺陷,其中所述图像处理器通过比较产生的光学图像数据与偏倚的检查数据确定缺陷的存在,其中超过用户选择的阈值的所述产生的光学图像数据与所述偏倚的检查数据之间的变化表示所述交替相移掩模中的缺陷。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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