[发明专利]一种改进的CPL掩模及产生CPL掩模的方法和程序产品无效

专利信息
申请号: 200710149453.0 申请日: 2007-07-05
公开(公告)号: CN101122736A 公开(公告)日: 2008-02-13
发明(设计)人: 道格拉斯·范登布罗埃克;库尔特·E·万普勒;陈剑方 申请(专利权)人: ASML蒙片工具有限公司
主分类号: G03F1/00 分类号: G03F1/00;G03F7/00;H01L21/027
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 王波波
地址: 荷兰维*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要: 一种形成掩模的方法,该掩模用于印制包含多个特征的图案。该方法包括步骤:将具有预定透射百分比的透射材料层沉积到衬底上;将不透明材料层沉积到该透射材料上;对衬底的一部分进行刻蚀,基于透射层和衬底的刻蚀选择性将该衬底刻蚀至一定深度;通过刻蚀不透明材料对透射层的一部分进行曝光;刻蚀透射层的曝光部分从而暴露出衬底的上表面;衬底的曝光部分和衬底的已刻蚀部分相应于照射信号彼此表现出预定的相移。
搜索关键词: 一种 改进 cpl 产生 方法 程序 产品
【主权项】:
1.一种用于形成掩模的方法,所述掩模用于印制包含多个特征的图案,所述方法包括步骤:将具有预定透射百分比的透射材料层沉积到衬底上;将不透明材料层沉积到所述透射材料上;对所述衬底的一部分进行刻蚀,基于所述透射层和所述衬底的刻蚀选择性将所述衬底刻蚀至一定深度;通过刻蚀所述不透明材料对所述透射层的一部分进行曝光;刻蚀所述透射层的所述曝光部分从而暴露出所述衬底的上表面;其中所述衬底的已曝光部分和所述衬底的所述已刻蚀部分相对于照射信号彼此呈现出预定的相移。
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