[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200710149643.2 | 申请日： | 2007-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN101145580A | 公开（公告）日： | 2008-03-19 |
| 发明（设计）人： | 八柳俊佑;上原正文;安齐胜义 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体装置及其制造方法，其目的在于提供ESD耐量被提高的晶体管构造。在中浓度的漏极层(10)的表面上从栅极电极(7)的漏极侧的端部离间形成高浓度的漏极层(12)，而且在栅极电极(7)和高浓度的漏极层(12)之间的衬底表面上包围高浓度漏极层(12)形成P型杂质层(13)，通过异常电涌开启寄生双极晶体管(30)期间，电子从源极电极(15)向漏极电极(16)移动，在此，电子避开形成P型杂质层(13)的衬底表面附近(X)，如图4箭头(25)所示，从更深的位置向漏极电极(16)侧以蔓延方式分散移动。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于：具有形成于第一导电型的半导体层表面的栅极绝缘膜；形成于所述栅极绝缘膜上的栅极电极；形成于所述半导体层表面的第二导电型的源极层；从所述栅极电极的漏极侧的端部分离且形成于所述半导体层表面的第二导电型的高浓度的漏极层；在所述栅极电极和所述高浓度的漏极层之间的所述半导体层表面上，邻接于所述高浓度的漏极层的第一导电型的杂质层。
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