[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 200710149665.9 | 申请日： | 2007-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN101140923A | 公开（公告）日： | 2008-03-12 |
| 发明（设计）人： | 黑柳一诚;小山昌司 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525;H01L23/60 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 陈瑞丰 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体器件具有多个熔丝元件部分，它们中的每一个都包括：具有被切割的熔丝部分的第一熔丝内连线，与内部电路相连的第二熔丝内连线；用以与第一熔丝内连线及第二熔丝内连线电连接的第一杂质扩散层，以及第二杂质扩散层。所述第一熔丝内连线、第二熔丝内连线，以及多个熔丝元件部分中每一个的第一杂质扩散层按预定的熔丝间距彼此近乎平行地排列。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，它具有：掺杂第一导电类型杂质的半导体衬底；和多个熔丝元件部分，它们中的每一个都包括：具有被切割之熔丝部分的第一熔丝内连线，与第一熔丝内连线分离形成并与内部电路相连的第二熔丝内连线；第二导电类型的第一杂质扩散层形成于半导体衬底表面上，与第一熔丝内连线和第二熔丝内连线电连接；以及第二导电类型的第二杂质扩散层形成于半导体衬底表面上，而且是与所述第一杂质扩散层分开配置的；其中，所述第一熔丝内连线、第二熔丝内连线，以及多个熔丝元件部分中每个的第一杂质扩散层按预定的熔丝间距彼此近乎平行地排列；并且每个熔丝元件部分都具有静电保护，所述静电保护包括所述第一杂质扩散层、第二杂质扩散层和半导体衬底。
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