[发明专利]离子注入方法及半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 200710149946.4 | 申请日： | 2007-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN101211766A | 公开（公告）日： | 2008-07-02 |
| 发明（设计）人： | 李民镛;郑镛洙 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/266 | 分类号： | H01L21/266 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 彭久云;许向华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种制造半导体器件的方法包括：形成一掩模图案，以暴露半导体基板的区域。以约4.4度到7度的倾斜角度注入掺杂离子至半导体基板的暴露区域中。本发明可增加半导体器件的生产产率。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 注入 方法 半导体器件 制造 | ||
【主权项】：
1.一种注入离子的方法，此方法包括：形成一掩模图案，用于暴露半导体基板的区域；及以约4.4度到7度的倾斜角度注入掺杂离子至该半导体基板的暴露区域中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
