[发明专利]电子器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200710149971.2 | 申请日： | 2007-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN101159239A | 公开（公告）日： | 2008-04-09 |
| 发明（设计）人： | 栗田洋一郎;副岛康志;川野连也 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L21/768;H01L23/498;H01L23/538;H05K3/46;H05K1/02 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 关兆辉;陆锦华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种电子器件及其制造方法。该电子器件包括第一互连层和第二互连层。该第二互连层配备在该第一互连层的下表面上。该第一互连层包括通路插塞(第一导电插塞)。该第二互连层一侧上的通路插塞的端面小于相对端面。该通路插塞暴露在与该第二互连层相对的第一互连层的表面上。形成该第一互连层的绝缘树脂的热分解温度高于形成该第二互连层的绝缘树脂的热分解温度。 | ||
| 搜索关键词： | 电子器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造电子器件的方法，包括：在支撑衬底上形成第一互连层；去除所述支撑衬底；以及在所述去除所述支撑衬底之后，在所述第一互连层上的初始配备了所述支撑衬底的表面上形成第二互连层；其中所述第二互连层的所述形成步骤包括在所述第一互连层中形成第一导电插塞。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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